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第五十二章 碳基芯片求点鲜花（第2页）

正在苏晨侃侃而谈的时候。

底下传过来一道声音把他打断了。

“什么问题？”

“关于载流子迁移率的问题，您前面说的都没错，但是后面漏了数据了。”

“根据我的团队做的实验，碳纳米管的实测电流还没有能到可以和硅竞争的水平。”

对于这个问题，苏晨早就有答案了。

“说得好。”

“这个问题我已经解决了，我创新了新的制作工艺。”

“我采取了性能超越同等栅长碳基cmos的制作工艺，完美的解决了这个问题。”

苏晨回答道。

“额，好吧，这个工艺我倒是没有听说过。”

“我就不发表结论了。”

提问问题的人做了下去。

苏晨继续介绍道：“第三。

阀值电压，硅和碳纳米管的阀值电压都主要和栅金属选择有关，谈不上优势。

但是绝对不比硅差！”

“第四，良品率的问题。”

“这个问题随着无掩模光刻机的问世已经解决。”

“最后，也是最重要的问题，漏电率的问题。”

“现在国内外的研究都卡在漏电率这个问题上面了。”

“这确实是硬伤。”

“因为漏电率直接影响这芯片的能耗。”

“芯片能耗大，费电快，手机不耐用，竞争力自然不强。”

“但是这个问题，我已经有了解决的思路了，相信过不了多久就会解决的。”

苏晨自信的说道。

要不是时间太过仓促。

他可能已经拿出解决好的方案过来了。

“大家还有什么问题吗？”

苏晨看着众人说道。

良久。